光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物进行开孔或图像转移，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
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产品详情
电子束光刻：线宽可达50nm及以上，精度可达10%
接触、接近式光刻：MA6/BA6光刻机，线宽2um及以上，精度±0.5um
步进式光刻：stepper i7/i10/i12,线宽可达350nm，曝光误差±0.1um，曝光面积6英寸、4英寸、2英寸
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